特許
J-GLOBAL ID：200903095947206296
窒化物半導体発光素子の製造方法と窒化物半導体発光層
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-216996
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054616
出願日： 2007年08月23日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】430nm以上の発光波長を有する窒化物半導体発光素子において、発光層中のIn偏析に起因する非発光領域の発生を抑制する。【解決手段】430nm以上の発光波長を有する発光層が量子井戸構造を有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、InとGaを含む原料ガス、第1アンモニアガス、および窒素を含む第1キャリアガスを供給してInGaN井戸層を形成する第1結晶成長工程と、その原料ガスの供給を停止し、第2アンモニアガスとともに、窒素と水素を含む第2キャリアガスを供給して、第1の時間で結晶成長を中断させる第1成長中断工程と、InとGaを含む原料ガス、第3アンモニアガス、および窒素を含む第3キャリアガスを供給してInGaNを含む障壁層を形成する第2結晶成長工程と、発光層の形成後においてその発光層が900°C以上1200°C以下の温度に3分以上曝される工程を含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記発光素子は1以上のn型窒化物半導体層と1以上のp型窒化物半導体層との間において430nm以上580nm以下の発光波長を有する発光層を含み、この発光層はInGaN井戸層の1以上とInGaNを含む障壁層の1以上とを含む量子井戸構造を有し、前記製造方法は、
InとGaを含むIII族元素原料、第1のアンモニアガス、および窒素を含む第1のキャリアガスを供給して前記InGaN井戸層を形成する第1の結晶成長工程と、
前記III族元素原料の供給を停止し、第2のアンモニアガスとともに、窒素と水素を含む第2のキャリアガスを供給して、第1の時間で結晶成長を中断させる第1の成長中断工程と、
InとGaを含むIII族元素原料、第3のアンモニアガス、および窒素と水素を含む第3のキャリアガスを供給して前記InGaNを含む障壁層を形成する第2の結晶成長工程と、
前記発光層の形成後においてその発光層が900°C以上1200°C以下の温度に3分以上曝される工程を含むことを特徴とする製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/343 610
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041AA40
, 5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP56
, 5F173AQ12
, 5F173AQ13
, 5F173AQ15
, 5F173AR23
, 5F173AR81
, 5F173AR92
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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