特許
J-GLOBAL ID：201103001879974267

化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者：
上村 聡

上村 聡 について

, 
樽谷 晋司

樽谷 晋司 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-180208
公開番号（公開出願番号）：特開2011-033841
出願日： 2009年07月31日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性(CDU)及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】界面活性剤と有機溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液、及びそれを用いたレジストパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
界面活性剤と有機溶剤とを含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用処理液。
IPC (2件)：
G03F 7/32 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/32 ,  H01L21/30 569E ,  G03F7/32 501
Fターム (8件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096GA03 ,  2H096GA05 ,  2H096GA18 ,  5F046LA12
引用特許：
審査官引用 (5件)
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