特許
J-GLOBAL ID：200903049937410411

レジストパターンの形成方法

発明者：
▲高▼橋 真

▲高▼橋 真 について

, 
武智 敏

武智 敏 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049946
公開番号（公開出願番号）：特開平9-244261
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターンの形成方法に関し、レジスト膜中への現像液の浸透性を高め、パターンプロファイルを改善することを目的とする。【解決手段】 保護されたアルカリ可溶性基を有しかつその保護基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる繰り返し単位を含む重合体又は共重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジストを被処理基板上に塗布し、形成されたレジスト膜を前記酸発生剤からの酸の発生を惹起し得る放射線に選択的に露光し、そして前記露光工程においてレジスト膜上に形成された潜像を、高級アルキル基を含有する界面活性剤の存在において有機アルカリ水溶液で現像すること、を含むように構成する。
請求項（抜粋）：
保護されたアルカリ可溶性基を有しかつその保護基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる繰り返し単位を含む重合体又は共重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含むレジストを被処理基板上に塗布し、形成されたレジスト膜を前記酸発生剤からの酸の発生を惹起し得る放射線に選択的に露光し、そして前記露光工程においてレジスト膜上に形成された潜像を、高級アルキル基を含有する界面活性剤の存在において有機アルカリ水溶液で現像すること、を含んでなることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 569 E
引用特許：
審査官引用 (11件)
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