特許
J-GLOBAL ID:201103002228572639
ドライエッチング装置とドライエッチング方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
机 昌彦 (外2名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-191686
公開番号(公開出願番号):特開2001-023961
特許番号:特許第3385528号
出願日: 1999年07月06日
公開日(公表日): 2001年01月26日
請求項(抜粋):
【請求項1】エッチングチャンバ内に保持されたウェーハに減圧下の活性ガスプラズマを作用させてエッチング処理を行うドライエッチング方法であって、エッチングチャンバ内に前記ウェーハを搬入して固定し、エッチングガスを該エッチングチャンバ内に導入し、該エッチングチャンバ内を所定の圧力に調整し、それぞれが互いに相手のコイルの間に位置するように近接して少なくとも2周の渦巻状に石英板の外面に配設されているプラズマ形成手段の2組の高周波印加用コイルのいずれかに高周波電源から高周波電力を供給し、エッチングガスを活性化させて前記ウェーハにエッチング処理を行う誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置を用いたドライエッチング方法において、所定の間隔で2組の高周波電源を切り換えて、それぞれの電源に接続する2組の前記高周波印加用コイルに交互に高周波電力を供給し、前記高周波電源の切り換えの間隔が、1枚の前記ウェーハの所定のエッチング処理に要する時間の偶数分の1であることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H05H 1/46 L
, H01L 21/302 101 C
引用特許:
出願人引用 (5件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-255785
出願人:富士通株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-059876
出願人:東京エレクトロン株式会社
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プラズマ処理方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-132110
出願人:松下電器産業株式会社
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審査官引用 (6件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-255785
出願人:富士通株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-059876
出願人:東京エレクトロン株式会社
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プラズマ処理方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-132110
出願人:松下電器産業株式会社
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プラズマ処理方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-253566
出願人:株式会社神戸製鋼所
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特開昭64-057600
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特開昭64-057600
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