特許

J-GLOBAL ID：201103002306552836

半導体装置のキャパシターの製造方法

発明者： 李 起 正 ,  金 東 俊
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (9件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  小原 健志 ,  中川 博司 ,  舘 泰光 ,  斎藤 健治 ,  藤井 淳 ,  関 仁士 ,  中野 睦子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-397923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210799
特許番号：特許第4196148号
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成する段階と、 前記下部電極の上に非晶質TaON薄膜を蒸着した後、窒素または酸素含有ガス雰囲気でアニーリングする工程を2回以上実施して多層構造のTaON誘電体膜を形成する段階と、 前記TaON誘電体膜の上に上部電極を形成する段階と、を含んで構成されることを特徴とする半導体装置のキャパシターの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 27/10 621 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• タンタルを含む高誘電体膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-072505   出願人：ソニー株式会社
• 半導体素子のキャパシタ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-176567   出願人：現代電子産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-027061   出願人：日本電気株式会社
• 半導体素子のキャパシターの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-385722   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター