特許

J-GLOBAL ID：201103002352123478

窒素をドープした石英ガラスを製造する方法、及びその方法を実行するのに好適な石英ガラス粒

発明者： トロンマー、マルティン ,  オクス、シュテファン ,  ヴェーバー、ユルゲン ,  ヴェルデッカー、ヴァルトラウト ,  トレーガー、ノルベルト ,  レーバー、ヘルムート
出願人/特許権者： ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフト ,  信越石英株式会社
代理人 (5件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-519129
公開番号（公開出願番号）：特表2011-528651
出願日： 2009年07月16日
公開日（公表日）： 2011年11月24日
要約：

窒素でドープされた石英ガラスを製造する既知の方法において、SiO2粒の形態又は該SiO2粒から作製される多孔質半製品の形態でSiO2ベース製品を準備し、該SiO2ベース製品を、窒素を含有する反応ガスを含有する雰囲気中で熱間プロセスにおいて、内部で窒素が化学結合した石英ガラスへと加工する。この出発点から、可能な限り高い割合の化学結合した窒素となる石英ガラスへの窒素ドーピングを達成する方法が提供される。この目的は、窒素を含有する反応ガスとして酸化窒素を使用し且つ熱間プロセスにおいて酸素欠乏型欠陥濃度が少なくとも2×1015cm-3であるSiO2ベース製品を使用し、SiO2ベース製品が、200nm〜300μmの範囲の平均粒径(D50値)を有するSiO2粒子を含む本発明により達成される。

請求項（抜粋）：

SiO2粒の形態又は該SiO2粒から作製される多孔質半製品の形態でSiO2ベース製品を準備し、該SiO2ベース製品を、窒素を含有する反応ガスを含有する雰囲気中で熱間プロセスにおいて、内部で窒素が化学結合した石英ガラスへと加工する、窒素をドープした石英ガラスを製造する方法であって、 該窒素を含有する反応ガスとして酸化窒素を使用し且つ該熱間プロセスにおいて酸素欠乏型欠陥濃度が少なくとも2×1015cm-3であるSiO2ベース製品を使用することを特徴とし、該SiO2ベース製品が、200nm〜300μmの範囲の平均粒径(D50値)を有するSiO2粒子を含む、窒素をドープした石英ガラスの製造方法。

IPC (3件)：

C03B 8/04 ,  C03B 20/00 ,  C03B 37/02

FI (5件)：

C03B8/04 R ,  C03B8/04 P ,  C03B20/00 F ,  C03B20/00 H ,  C03B37/02 Z

Fターム (1件)：

4G014AH21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高純度合成石英ガラス粒子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-195407   出願人：株式会社渡邊商行, 旭電化工業株式会社
• シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002548   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 半導体ウエハを処理するための石英ガラスからなる保持器および保持器の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-505860   出願人：ヘレウスクワルツグラスゲーエムベーハーウントコンパニーカーゲー, 信越石英株式会社
• 焼結石英ガラス製品及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-503525   出願人：ロクスリィテッドアルバート