半導体ウエハを処理するための石英ガラスからなる保持器および保持器の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：滝口昌司 , 中里浩一 , 川崎仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-505860
公開番号（公開出願番号）：特表2008-535764
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

エッチング作用する環境において使用するウエハ保持器のための理想的な石英ガラスは、高い純度および高い乾式エッチング耐性の点で傑出している。この要求をかなりの程度まで満たす石英ガラスを提供するために、本発明によれば次のことが提案される。すなわち石英ガラスが、少なくとも表面に近い範囲において窒素によってドーピングされており、30重量ppm以下の準安定のヒドロキシル基の平均含有量を有し、かつその仮想温度が、1250°Cより下であり、かつ1200°Cの温度におけるその粘性が、少なくとも1013dPa・sである。このような石英ガラスを製造するための経済的な方法は、次の方法ステップを含んでいる:石英ガラス素材になるようにSiO2原料を溶融し、その際、SiO2原料または石英ガラス素材が、脱水処理を受け、アンモニアを含む雰囲気において1050°Cと1850°Cとの間の範囲における窒化温度にSiO2原料または石英ガラス素材を加熱し、石英ガラス素材の石英ガラスを1250°Cまたはそれより低い仮想温度に設定する熱処理を行い、かつ石英ガラス保持器を形成しながら石英ガラス素材の表面処理を行う。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを処理するための石英ガラスからなる保持器において、石英ガラスが、少なくとも表面に近い範囲において窒素によってドーピングされており、30重量ppm以下の準安定のヒドロキシル基の平均含有量を有し、かつその仮想温度が、1250°Cより下であり、かつ1200°Cの温度におけるその粘性が、少なくとも1013dPa・sであることを特徴とする保持器。

IPC (6件)：

C03C 3/06 , C03B 20/00 , H01L 21/306 , C03C 15/00 , C03C 19/00 , C03C 23/00

FI (10件)：

C03C3/06 , C03B20/00 F , C03B20/00 K , C03B20/00 E , H01L21/302 101G , C03B20/00 A , C03C15/00 A , C03C15/00 Z , C03C19/00 Z , C03C23/00 D

Fターム (82件)：

4G014AH00 , 4G059AA01 , 4G059AA08 , 4G059AB03 , 4G059AB09 , 4G059AB11 , 4G059AC03 , 4G059AC18 , 4G059AC19 , 4G059BB01 , 4G059BB14 , 4G062AA01 , 4G062BB02 , 4G062DA08 , 4G062DB02 , 4G062DB03 , 4G062DC01 , 4G062DD01 , 4G062DE01 , 4G062DF01 , 4G062EA01 , 4G062EA02 , 4G062EB01 , 4G062EB02 , 4G062EC01 , 4G062EC02 , 4G062ED01 , 4G062EE01 , 4G062EF01 , 4G062EG01 , 4G062FA01 , 4G062FA10 , 4G062FB01 , 4G062FC01 , 4G062FD01 , 4G062FE01 , 4G062FF01 , 4G062FG01 , 4G062FH01 , 4G062FJ01 , 4G062FK01 , 4G062FL01 , 4G062GA01 , 4G062GB01 , 4G062GC01 , 4G062GD01 , 4G062GE01 , 4G062GE02 , 4G062HH01 , 4G062HH03 , 4G062HH05 , 4G062HH07 , 4G062HH09 , 4G062HH11 , 4G062HH13 , 4G062HH15 , 4G062HH17 , 4G062HH20 , 4G062JJ01 , 4G062JJ03 , 4G062JJ05 , 4G062JJ06 , 4G062JJ07 , 4G062JJ10 , 4G062KK01 , 4G062KK03 , 4G062KK05 , 4G062KK07 , 4G062KK10 , 4G062MM01 , 4G062NN16 , 4G062NN31 , 4G062NN34 , 4G062NN35 , 5F004AA16 , 5F004BB29 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18

引用特許：

審査官引用 (10件)

シリコン半導体素子熱処理治具用石英ガラスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-331938 出願人：信越石英株式会社, ヘラウス・クワルツグラス・ゲーエムベーハー
紫外線用石英ガラスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-239312 出願人：住友金属工業株式会社
プラズマ耐食性ガラス及びこれを用いた装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-035254 出願人：株式会社神戸製鋼所

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