メモリシステム及びそのデータ処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-038523
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176825
出願日： 2011年02月24日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：

【課題】軟判定アルゴリズムに応じて読み出されるデータの信頼性を高めることができるメモリシステム及びそのデータ処理方法を提供する。【解決手段】本発明に係るメモリシステムは、データのプログラム時、前記データに対する状態情報が追加的にプログラムされる不揮発性メモリ装置と、前記データを読み出す時、前記状態情報にアクセスし、前記状態情報に基づいて前記データの事前確率を計算し、前記事前確率に基づいて読み出された各々のビットに対する事後確率を計算し、前記事後確率に基づき前記データの論理状態を検出する軟判定工程を実行するメモリコントローラとを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

データのプログラム時、前記データに対する状態情報が追加的にプログラムされる不揮発性メモリ装置と、前記データを読み出す時、前記状態情報にアクセスし、前記状態情報に基づいて前記データの事前確率を計算し、前記事前確率に基づいて読み出された各々のビットに対する事後確率を計算し、前記事後確率に基づき前記データの論理状態を検出する軟判定工程を実行するメモリコントローラとを有することを特徴とするメモリシステム。

IPC (2件)：

H03M 13/45 , G06F 12/16

FI (2件)：

H03M13/45 , G06F12/16 320A

Fターム (8件)：

5B018GA04 , 5B018MA22 , 5B018NA01 , 5B018NA06 , 5B018QA14 , 5B018QA16 , 5J065AG05 , 5J065AH21

引用特許：

審査官引用 (8件)

データ復号装置,データ再生装置,およびデータ復号方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-118796 出願人：株式会社東芝
誤り訂正確率を減らすエラー訂正回路、その方法及び前記回路を備える半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-340739 出願人：三星電子株式会社
メモリ監視装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-041090 出願人：東洋通信機株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

MAP Decoding of Variable Length Codes With Self-Synchronization Strings

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