特許
J-GLOBAL ID：200903088278981673
フラッシュメモリにおける誤り訂正のための方法およびシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
龍華 明裕
, 飯山 和俊
, 明石 英也
, 東山 忠義
, 林 茂則
, 高田 学
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-551451
公開番号（公開出願番号）：特表2009-524176
出願日： 2007年01月19日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】【解決手段】固体不揮発性メモリユニットを提供する。該メモリユニットは、第1のデジタルレベル数で特徴付けられるデータを格納する多重レベル固体不揮発性メモリアレイを備える。該メモリユニットはさらに、入力と出力を持つアナログ/デジタルコンバータを備える。当該アナログ/デジタルコンバータの入力は、多重レベル固体不揮発性メモリアレイからデータを受け取る。当該アナログ/デジタルコンバータの出力は、第1のデジタルレベル数よりも多い第2のデジタルレベル数で特徴付けられるデジタル信号を出力する。【選択図】図3A
請求項（抜粋）：
第1のデジタルレベル数で特徴付けられるデータを格納する多重レベル固体不揮発性メモリアレイと、
前記多重レベル固体不揮発性メモリアレイからデータを受け取り、前記第1のデジタルレベル数よりも多い第2のデジタルレベル数で特徴付けられるデジタル信号を出力する、アナログ/デジタルコンバータと
を備える、固体不揮発性メモリユニット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C17/00 639C
, G06F12/16 320G
5B018GA04
, 5B018HA14
, 5B018MA23
, 5B018NA06
, 5B018QA16
, 5B018RA02
, 5B125BA01
, 5B125BA19
, 5B125CA11
, 5B125DE08
, 5B125EK01
, 5B125EK02
, 5B125FA04
, 5B125FA10
