薄膜形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鷲田公一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247205
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144387
特許番号：特許第3704258号
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ターゲット材及び基板を反応室内に配置する工程と、前記ターゲット材にビーム光を照射することにより生じるショックフロントにより形成され、酸化を促進する領域において、気相中での結晶核生成が行われるように、前記反応室に導入する雰囲気ガスの圧力(P)及び、前記基板と前記ターゲット材との間の距離(D)を調整する工程と、前記反応室に前記圧力で前記雰囲気ガスを導入しながら、前記ターゲット材にビーム光を照射することにより励起する工程と、ビーム光を照射されて脱離した前記ターゲット材に含まれる物質を前記基板上に堆積して薄膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (6件)：