特許
J-GLOBAL ID：201103002666525490
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
池内 寛幸
, 佐藤 公博
, 鎌田 耕一
, 乕丘 圭司
, 辻丸 光一郎
, 黒田 茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-214828
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033322
特許番号：特許第3592209号
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に形成された絶縁膜上に、スパッタリング法によりチタン膜および窒化チタン膜を順次堆積する工程と、前記窒化チタン膜の堆積に用いたチタンターゲットの表面をスパッタリングクリーニングする工程と、前記スパッタリングクリーニングにより前記窒化チタン膜の表面に付着したチタンを酸化する工程と、前記付着したチタンが酸化された前記窒化チタン膜上にアルミニウムを主成分とする金属膜を堆積する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/285
H01L 21/88 R
, H01L 21/285 S
, H01L 21/285 301 R
, H01L 21/88 N
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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