特許
J-GLOBAL ID：200903051685340746

III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ

発明者：
加治 亘章

加治 亘章 について

, 
三木 久幸

三木 久幸 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-176099
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016531
出願日： 2007年07月04日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なIII族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたIII族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。【解決手段】基板11上に、少なくともIII族窒化物化合物からなる中間層12が積層され、該中間層12上に、下地層14aを備えるn型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16が順次積層されてなるIII族窒化物半導体発光素子であり、中間層12の結晶組織中には、中間層12のX線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が720arcsec以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層12の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層12の面積比で30%以下とされている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともIII族窒化物化合物からなる中間層が積層され、該中間層上に、下地層を備えるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が順次積層されてなるIII族窒化物半導体発光素子であって、 前記中間層の結晶組織中には、前記中間層のX線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が720arcsec以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、前記ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、 前記中間層の結晶組織における前記無配向成分の割合が、前記中間層の面積比で30%以下とされていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (5件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/203 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/34
FI (5件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01L21/203 S ,  C23C14/06 A ,  C23C16/34
Fターム (58件)：
4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB09 ,  4K029BC07 ,  4K029CA06 ,  4K029DA08 ,  4K029DC03 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029DC45 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029FA05 ,  4K029GA00 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030JA10 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB11 ,  5F041FF11 ,  5F103AA08 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103NN10 ,  5F103PP01 ,  5F103RR05 ,  5F173AG11 ,  5F173AG14 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AQ04 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ14 ,  5F173AQ15 ,  5F173AR84
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (6件)
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