特許
J-GLOBAL ID：201103003112760183
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-051506
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187692
出願日： 2010年03月09日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】チップサイズの増大を抑えつつ電極面積の増大を図れる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光装置は、第1の主面と、第1の主面に対する反対側に設けられた第2の主面と、第2の主面に選択的に設けられた凸部と、第2の主面から第1の主面に達して形成された溝とを有する第1の半導体層と、第1の半導体層の凸部に積層され、発光層を含む第2の半導体層と、第1の半導体層の第2の主面及び溝の側面に設けられた第1の電極と、第2の半導体層における第1の半導体層に対する反対側の面に設けられた第2の電極と、第1の電極における2の主面に対する反対側の面に設けられた第1の配線と、第2の電極における第2の半導体層に対する反対側の面に設けられた第2の配線と、を備えた。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1の主面と、前記第1の主面に対する反対側に設けられた第2の主面と、前記第2の主面に選択的に設けられた凸部と、前記第2の主面から前記第1の主面に達して形成された溝と、を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の前記凸部に積層され、発光層を含む第2の半導体層と、
前記第1の半導体層の前記第2の主面及び前記溝の側面に設けられた第1の電極と、
前記第2の半導体層における前記第1の半導体層に対する反対側の面に設けられた第2の電極と、
前記第1の電極における前記2の主面に対する反対側の面に設けられた第1の配線と、
前記第2の電極における前記第2の半導体層に対する反対側の面に設けられた第2の配線と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F041AA47
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA93
, 5F041DA04
, 5F041DA09
