特許
J-GLOBAL ID：201103003270228391
化合物半導体ウェハに含まれる特定元素の組成比のマッピング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257314
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085485
特許番号：特許第4043660号
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 化合物半導体ウェハに含まれる特定元素の組成比を算出し、その算出結果をマッピング表示するマッピング装置であって、
上記化合物半導体ウェハの基礎吸収端の波長を含む光源と、
上記化合物半導体ウェハを載置して該ウェハ内の測定位置を順次移動させるウェハ移動手段と、
上記光源から照射され上記化合物半導体ウェハ内の所定の測定位置を透過して来る透過光を受光するダイオードアレイ型分光器と、
該ダイオードアレイ型分光器の制御を司る制御手段と、
上記ダイオードアレイ型分光器から出力される各測定位置の透過率に対応する信号に基づいて特定元素の組成比を算出する演算手段と、
該演算手段の算出結果に基づいて上記化合物半導体ウェハの組成分布をマッピング表示する表示手段と、
を少なくとも備え、
上記演算手段は、記憶手段を備え、
該記憶手段の所定記憶領域には、
(1)上記基礎吸収端の波長を含む任意の波長範囲でその透過率の最大値をTmax ,吸収係数をα,ウェハの厚さをtとした場合の透過率T(%)を示す式
T(%)=Tmax exp(-αt) ・・・式1と、
(2)上記波長範囲における化合物半導体ウェハに含まれる特定元素の組成比(D(%))と上記式1にて透過率T(%)となるように選択される波長λ(α)(但し、αは吸収係数)との関係式
D(%)=a-b×λ(α) ・・・式2と、
を表すデータを格納し、
上記ダイオードアレイ型分光器によって被測定対象の化合物半導体ウェハの複数の測定位置において上記波長範囲の透過率を測定し、各波長と透過率の相関関係を示す透過率曲線のデータを上記記憶手段の所定領域に一旦記憶し、
上記演算手段は、各測定位置について、上記化合物半導体ウェハの所定の吸収係数αと厚さtに基づいて上記式1から上記測定位置における透過率T(%)を算出し、
上記透過率T(%)と上記記憶手段に記憶されている上記透過率曲線のデータに基づいて、上記透過率T(%)に対応する波長λ(α)を算定し、
該波長λ(α)を上記式2に代入すると共に、上記化合物半導体ウェハの表面状態によって上記式2中の定数aと係数bを、表面が鏡面研磨された化合物半導体ウェハの特定元素の組成比を算出する場合と、表面をエッチング液でエッチングした化合物半導体ウェハの特定元素の組成比を算出する場合とで、それぞれ異なる値に設定して上記特定元素の組成比を算出し、
上記表示手段は、上記算出された各測定位置における上記特定元素の組成比に基づいて、化合物半導体ウェハに含まれる上記特定元素の組成比をマッピング表示することを特徴とする化合物半導体ウェハに含まれる特定元素の組成比のマッピング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01J 3/02 ( 200 6.01)
, G01N 21/00 ( 200 6.01)
H01L 21/66 N
, H01L 21/66 A
, G01J 3/02 R
, G01N 21/00 B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
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