特許

J-GLOBAL ID：201103003882484656

処理装置

発明者： 高鍋 英一郎 ,  高梨 守弘
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 絹谷 信雄 ,  金坂 憲幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-113817
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306847
特許番号：特許第4209539号
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 筐体内に収容された複数の処理部を備え、各処理部にガス供給系の圧力調整部および流量制御部を介して処理ガス等のガスを供給して処理を行なう処理装置において、前記流量制御部を収容した第1の収容箱を前記筐体の上部に設置し、前記圧力調整部をまとめて収容した第2の収容箱を前記筐体の上部よりも低い作業し易い場所に設置したことを特徴とする処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  H01L 21/324 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/324 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-289266   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-293119   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
• 結晶性半導体薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-192574   出願人：三井東圧化学株式会社
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-056510   出願人：日本電気株式会社