特許
J-GLOBAL ID:201103004252758061
成膜プロセス評価装置、成膜プロセス評価方法、及び成膜プロセス評価プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-085032
公開番号(公開出願番号):特開2001-274152
特許番号:特許第4031174号
出願日: 2000年03月24日
公開日(公表日): 2001年10月05日
請求項(抜粋):
【請求項1】 成膜プロセスにより形成される堆積膜の膜質を評価するための成膜プロセス評価装置において、
堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を示す数式を用いて、堆積膜の表面上の複数の点の各点において、堆積膜の形成に寄与する複数の物理現象毎の成膜速度を算出する速度ベクトル抽出部と、
前記複数の物理現象又は当該複数の物理現象から選択された物理現象の成膜速度の総和を算出し、各物理現象の成膜速度を算出された総和で除算することにより、堆積膜の形成に寄与する割合を寄与率として物理現象毎に抽出する寄与率抽出部と、
前記寄与率抽出部により抽出された寄与率に基づいて、堆積膜の膜質を評価するための寄与率の分布状態を物理現象毎に出力する制御部と
を具備することを特徴とする成膜プロセス評価装置。
IPC (3件):
H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 21/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/31 Z
, H01L 21/00
, H01L 21/66 L
引用特許:
出願人引用 (5件)
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特開平2-039270
-
半導体装置断面構造の表示方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-069394
出願人:日本電信電話株式会社
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薄膜の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-351598
出願人:ソニー株式会社
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審査官引用 (6件)
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特開平2-039270
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半導体装置断面構造の表示方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-069394
出願人:日本電信電話株式会社
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薄膜の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-351598
出願人:ソニー株式会社
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