特許
J-GLOBAL ID：201103004320172402

半導体装置及びその製造方法

発明者：
池田 大助

池田 大助 について

, 
吉見 英章

吉見 英章 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について

, 
三洋半導体株式会社

三洋半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-155365
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014603
出願日： 2009年06月30日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：
【課題】従来の半導体装置では、シリコン基板の研磨屑が半導体装置の電極近傍に硬化し電気的にリークするという問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置では、シリコン基板2の表面側に配線層4やCu配線層13が配置され、樹脂膜10、15により被覆される。半導体装置1の側面18、19は、半導体装置1の表面20と垂直面となり、その側面からは、樹脂膜10、15や位置精度確認マーク14が露出する。この構造により、シリコン基板2の研磨屑22は、若干、半導体装置1の側面18、19に付着するが、その表面20に付着することはなく、研磨屑22を介して電気的にリークすることはない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも基板の一主面側が樹脂層により被覆され、前記樹脂層表面側に電極が形成され、前記基板の一主面と他の主面との間に位置する側面がスクライブ面となる半導体装置において、 前記側面には、少なくとも前記樹脂層及び前記基板が露出し、前記側面に露出する樹脂層は、前記樹脂層表面に対して垂直な平坦面となることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/304 ,  B24B 53/00 ,  B24B 49/12
FI (6件)：
H01L21/78 L ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622J ,  B24B53/00 K ,  B24B49/12
Fターム (12件)：
3C034AA19 ,  3C034BB93 ,  3C034CA04 ,  3C034CA14 ,  3C034CA22 ,  3C034CB14 ,  3C034DD10 ,  3C034DD13 ,  3C047AA32 ,  3C047DD20 ,  3C047EE09 ,  3C047FF06
引用特許：
審査官引用 (8件)
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