磁気抵抗記憶素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395072
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280526
特許番号：特許第3569258号
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に磁界を印加するための配線とを含み、前記配線が、同一方向に伸長する2以上の導電線を含み、前記2以上の導電線が、磁界を印加するための電流を入力する信号線と、所定の電位に保持された受動線とを含む磁気抵抗記憶素子。

IPC (3件)：