特許
J-GLOBAL ID：201103004971169027
液晶表示装置用薄膜トランジスタ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-151840
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031496
特許番号：特許第3377184号
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ガラス基板にポリシリコンでアクティブ領域をパターニングして形成する段階と;前記アクティブ領域の上側にゲート絶縁膜を形成する段階と;前記ゲート絶縁膜上に下部ゲート膜及び上部ゲート膜を順次形成する段階と;NチャンネルTFTを形成する部分ではゲート部分にのみ,PチャンネルTFTを形成する部分では全体にフォトレジストからなるエッチング保護膜を形成する段階と;前記フォトレジストをマスクとして,前記下部ゲート膜からなる下部ゲートパターンが,前記上部ゲート膜からなる上部ゲートパターンに比べ幅が狭くなるようにアンダーカットエッチングする段階と;前記フォトレジストを除去した後に,前記上部ゲートパターンをイオン注入マスクとして高濃度N型不純物イオンをイオン注入する段階と;前記上部ゲートパターンを除去した後に,NチャンネルTFTが形成された部分全体とPチャンネルTFTが形成される部分中のゲート部分にフォトレジストパターンを形成し,PチャンネルTFT領域の下部ゲートパターンを形成するエッチングをする段階と,P型不純物イオンをイオン注入する段階を有することを特徴とする,液晶表示装置用TFT形成方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/1368
, H01L 21/336
H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 A
, G02F 1/136 500
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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