特許
J-GLOBAL ID：201103004971933690
断面加工観察方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
久原 健太郎
, 内野 則彰
, 木村 信行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-204009
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054497
出願日： 2009年09月03日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：
【課題】SEM装置を有しない集束イオンビーム装置により断面加工観察を効率よく連続実施が可能な断面加工観察装置の提供。【解決手段】集束イオンビームによるエッチング加工で試料に断面を形成し、集束イオンビームによる断面観察で断面観察像を取得し、断面を含む領域をエッチング加工して新たな断面を形成し、新たな断面の断面観察像を取得する断面加工観察方法において、試料上のマークと断面を含む領域に集束イオンビームを照射し表面観察像を取得し、表面観察像でマークの位置を認識し、マークの位置を基準にして新たな断面を形成するための集束イオンビームの照射領域を設定して試料断面のエッチング加工を行うことを特徴とする断面加工観察方法を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
集束イオンビームによるエッチング加工で試料に断面を形成し、
前記試料を傾斜して前記集束イオンビームによる断面観察で断面観察像を取得し、
前記試料の傾斜を元に戻して前記断面を含む領域をエッチング加工して新たな断面を形成し、
前記試料を傾斜して前記新たな断面の断面観察像を取得する断面加工観察方法において、
前記試料上の位置を示すマークと前記断面を含む領域に前記集束イオンビームを照射し表面観察像を取得し、
前記表面観察像で前記マークの位置を認識し、前記マークの位置を基準にして前記新たな断面を形成するための前記集束イオンビームの照射領域を設定して前記試料断面のエッチング加工を行う断面加工観察方法。
IPC (2件)：
H01J 37/317
, H01J 37/305
H01J37/317 D
, H01J37/305 A
5C034BB07
, 5C034BB09
, 5C034DD09
