特許
J-GLOBAL ID:201103005231171849

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐野 静夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-044735
公開番号(公開出願番号):特開2000-243890
特許番号:特許第4392890号
出願日: 1999年02月23日
公開日(公表日): 2000年09月08日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体素子を載置するために隣接して配される略矩形の第1アイランド部および第2アイランド部と、前記第1アイランド部の端縁近傍から外方に向けて伸びる複数のリード部とを有し、前記第2アイランド部に隣接する前記リード部に前記第1アイランド部の一辺に対して傾斜する傾斜部を設けるとともに、前記第2アイランド部の一辺が前記傾斜部と略平行であるリードフレームと、前記リードフレームの前記第1アイランド部および前記第2アイランド部に搭載された第1の半導体素子および第2の半導体素子とを備え、前記第1の半導体素子に設けられたパッドと前記第2の半導体素子に設けられたパッドとがリード線によって接続されている半導体集積回路であって、 前記第2の半導体素子に設けられたパッドは、前記第2の半導体素子の上面の角部に設けられ、 前記角部は、前記第2の半導体素子の上面が有する角部のうち、前記第1の半導体素子に最も近接している角部であることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件):
H01L 23/50 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  H01L 31/02 ( 200 6.01) ,  H01L 25/16 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 23/50 K ,  H01L 21/60 301 B ,  H01L 31/02 A ,  H01L 25/16 A
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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