窒化物系半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-096126
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284736
特許番号：特許第3670927号
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくともGaとNを含有する窒化物系半導体基板上に、窒化物半導体層が形成されてなる窒化物系半導体発光素子において、前記窒化物系半導体基板にClが含まれ、そのClの濃度が1×1015cm-3以下であると共に、前記窒化物半導体層は、前記窒化物系半導体基板上に形成されたn型InGaNからなるクラック防止層と、該クラック防止層上に形成されたn型AlGaNからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたp型AlGaNからなる第2クラッド層と、該第2クラッド層上に形成されたp型コンタクト層とを含むことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。

IPC (3件)：