特許
J-GLOBAL ID：201103006152889277

単結晶成長装置及び単結晶成長方法

発明者：
山岸 浩利

山岸 浩利 について


出願人/特許権者：
株式会社スーパーシリコン研究所

株式会社スーパーシリコン研究所 について


代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047033
公開番号（公開出願番号）：特開2000-247786
特許番号：特許第4052753号
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】内部に石英るつぼが配置されるチャンバと、単結晶の原料となる融液を融解させる石英るつぼと、前記石英るつぼの上方で種結晶を上下方向に昇降させる種結晶昇降機構と、前記チャンバ内で上下方向に移動可能に配置された単結晶把持部材とを有し、前記種結晶昇降機構は、種結晶を前記石英るつぼ内の融液に浸漬して引き上げることにより種結晶の下に単結晶ネック部、次いで単結晶の径拡大部、さらに前記径拡大部下方のくびれに続いて単結晶棒を形成するために用いられ、前記単結晶把持部材は、前記単結晶の径拡大部が形成された後に前記径拡大部を下方から把持して上昇することにより単結晶を引き上げるように構成された単結晶成長装置において、 前記単結晶把持部材の前記径拡大部の下部と接触する部分に、炭素繊維強化炭素複合材料の表面に熱分解炭素の被膜を形成したものであって表面硬度がショア硬度70以上、ビッカース硬度100以下であって、引張強度が400MPa以上の材質の接触部材を配した条件下で、前記径拡大部下方のくびれの最小直径を12mm以上としたときに、 前記径拡大部把持部位の温度T(°C)と前記単結晶把持部材によって係合保持された単結晶の重量W(kg)が、温度T(°C)が500°Cから800°Cの間で、 W≦-(4/3)T+1270 の関係を満たすように温度T(°C)を制御する手段を設けたことを特徴とする単結晶成長装置。
IPC (3件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  C30B 15/22 ( 200 6.01) ,  C30B 15/30 ( 200 6.01)
FI (3件)：
C30B 29/06 502 F ,  C30B 15/22 ,  C30B 15/30
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM