特許
J-GLOBAL ID：201103006239252810

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
平石 鈴之介

平石 鈴之介 について

, 
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-242190
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119693
出願日： 2010年10月28日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層又はドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一とする。【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層を2層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属の酸化物又はその金属合金の酸化物とする。二層目以降のソース電極層又はドレイン電極層の材料は、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、又は上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層とを有し、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層は積層であり、その積層のうち、前記酸化物半導体層と接する一層を前記酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属の酸化物又はその金属合金の酸化物とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B
Fターム (75件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF04 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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