有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大谷保 , 東平正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-289017
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117619
出願日： 2007年11月06日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：

【課題】移動度及びオン/オフ比が高い有機薄膜トランジスタ(有機TFT)を提供すること。【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタを作製する方法であって、該絶縁体層の形成工程がフッ素ポリマーの気相成膜を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法及び該方法で製造されてなる有機薄膜トランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタを作製する方法であって、該絶縁体層の形成工程がフッ素ポリマーの気相成膜を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (6件)：

H01L29/78 617V , H01L29/78 618B , H01L29/78 627B , H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , H01L29/28 100A

Fターム (52件)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC09 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM12 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (3件)

有機半導体装置及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-264964 出願人：株式会社日立製作所
有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-553638 出願人：アベシア・リミテッド
配向積層膜とその製造方法及びそれを用いた有機電子素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-009074 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (6件)

含フッ素芳香族化合物を含む有機薄膜デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-059059 出願人：オプトレックス株式会社, 旭硝子株式会社
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-149630 出願人：三星エスディアイ株式会社
有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-028474 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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