特許
J-GLOBAL ID：201103006310655130
温度測定方法、それに用いる温度測定用基板及びランプ加熱装置の評価方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 手島 勝
, 藤田 篤史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296288
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208567
特許番号：特許第3593080号
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ランプ加熱装置に投入された基板の基板温度を温度測定用基板を用いて測定する温度測定方法であって、結晶状態で形成された第1の半導体層と、該第1の半導体層の上にアモルファス状態で形成された第2の半導体層と、該第2の半導体層の上に形成された光吸収膜とを有する温度測定用基板を準備する工程と、前記温度測定用基板を前記ランプ加熱装置に投入した後、投入された前記温度測定用基板にランプ光を照射することにより、前記光吸収膜を介して前記第2の半導体層を加熱する工程と、加熱された前記第2の半導体層における前記第1の半導体層との界面が、アモルファス状態から結晶状態に回復する際の回復レートの値を算出する工程と、前記回復レートの値と該回復レートの値に対する温度との関係から、ランプ光が照射された前記温度測定用基板の温度を測定する工程とを備えていることを特徴とする温度測定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/26
, G01K 11/00
, H01L 21/66
H01L 21/26 T
, G01K 11/00 Z
, H01L 21/66 T
