特許
J-GLOBAL ID：201103006456795945

電界効果トランジスタ

発明者：
藤井 敬久

藤井 敬久 について

, 
ジョン・トワイナム

ジョン・トワイナム について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-001447
公開番号（公開出願番号）：特開2011-142182
出願日： 2010年01月06日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：
【課題】高電圧を印加しても壊れにくい電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】この電界効果トランジスタは、略同一の第1、第2トランジスタ部11,12を備える。第1のトランジスタ部11は、ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造、III族窒化物半導体層構造上に間隔をおいて配置されたソース電極5およびドレイン電極7、フィールドプレート91を有するゲート電極6、ドレイン電極7を被覆するように配置された絶縁体層8を有する。フィールドプレート91は、ドレイン電極7を覆うようにひさし状に延在する。第2のトランジスタ部12は、第1のトランジスタ部11と略面対称に配置されている。第1のトランジスタ部11のIII族窒化物半導体層構造、絶縁体層8およびドレイン電極7は、第2のトランジスタ部12において対応する構造または層と一体化されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタ部と、 上記第1のトランジスタ部と略同一の第2のトランジスタ部と を備え、 上記第1のトランジスタ部および上記第2のトランジスタ部は、夫々 ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造と、 上記III族窒化物半導体層構造上に間隔をおいて配置されたソース電極およびドレイン電極と、 上記III族窒化物半導体層構造上に上記ドレイン電極を被覆するように配置された第1の絶縁体層と、 上記ソース電極と上記ドレイン電極との間に、上記ソース電極および上記ドレイン電極に間隔をおいて位置するゲート電極本体と、上記第1の絶縁体層上に位置すると共に、上記ゲート電極本体から上記ドレイン電極に向けてひさし状に延びるフィールドプレートとを有するゲート電極と を有し、 上記第1のトランジスタ部の上記III族窒化物半導体層構造と、上記第2のトランジスタ部の上記III族窒化物半導体層構造とは、一体化されており、 上記第1のトランジスタ部の上記第1の絶縁体と、上記第2のトランジスタ部の上記第1の絶縁体とは、一体化されており、 上記第1のトランジスタ部の上記ドレイン電極と、上記第2のトランジスタ部の上記ドレイン電極とは、一体化されており、 上記第1のトランジスタ部と、第2のトランジスタ部とは、略面対称に配置され、 上記第1のトランジスタ部の上記フィールドプレートと、上記第2のトランジスタ部のフィールドプレートとは、電気的に接続されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (7件)：
H01L 27/095 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (5件)：
H01L29/80 E ,  H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 Y
Fターム (58件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB33 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  5F102FA01 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR06 ,  5F102GR12 ,  5F102GS03 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許：
審査官引用 (10件)
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