特許

J-GLOBAL ID：201103006522509177

処理装置

発明者： 杉浦 正仁 ,  神力 博 ,  桐生 秀樹 ,  青山 真太郎
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134684
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323425
特許番号：特許第4319287号
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】被処理体を搬送する搬送手段を備えた搬送室と,前記搬送室の周囲に配置され前記被処理体に処理を施す1または2以上の真空処理室とを備えた処理装置において, 前記搬送室内には,少なくとも一の前記真空処理室での処理を行う前に,前記被処理体に紫外線を照射して紫外線処理を施す前処理室が配置されることを特徴とする,処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/26 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/68 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/26 E ,  H01L 21/26 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 F

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特開平3-263320
  
• クラスターツール装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-160800   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-155619
  
• 半導体ウェハ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-015468   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体基板表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195394   出願人：株式会社東芝
• 基体の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-101978   出願人：株式会社フロンテック