特許
J-GLOBAL ID:201103006554113097
パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-031437
公開番号(公開出願番号):特開2011-221501
出願日: 2011年02月16日
公開日(公表日): 2011年11月04日
要約:
【課題】感度、露光ラチチュード、マスクエラーエンハンスメントファクター、パターン形状に優れ、線幅バラツキを低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜の提供。【解決手段】(ア)(A)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と(B)活性光線又は放射線の照射により下記一般式(I)で表されるスルホン酸を発生する少なくとも1種の化合物と(C)溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(ア)(A)酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により下記一般式(I)で表されるスルホン酸を発生する少なくとも1種の化合物と、(C)溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、及び
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法。
IPC (13件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, G03F 7/38
, G03F 7/32
, H01L 21/027
, C09K 3/00
, C07D 335/02
, C07D 333/46
, C07D 235/18
, C07D 487/04
, C07D 223/12
, C07D 211/16
, C07D 317/28
FI (15件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, G03F7/38 501
, G03F7/32
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 569E
, C09K3/00 K
, C07D335/02
, C07D333/46
, C07D235/18
, C07D487/04 140
, C07D487/04 150
, C07D223/12 A
, C07D211/16
, C07D317/28
Fターム (70件):
2H096DA10
, 2H096GA03
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF19P
, 2H125AF21P
, 2H125AF27P
, 2H125AF33P
, 2H125AF36P
, 2H125AF38P
, 2H125AF52P
, 2H125AF55P
, 2H125AF70P
, 2H125AH14
, 2H125AH15
, 2H125AH16
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AH22
, 2H125AH29
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ63X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ66X
, 2H125AJ68X
, 2H125AJ69X
, 2H125AM09P
, 2H125AM12P
, 2H125AM22P
, 2H125AM23P
, 2H125AM32P
, 2H125AM99P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN54P
, 2H125AN57P
, 2H125AN63P
, 2H125AN64P
, 2H125AN65P
, 2H125AN82P
, 2H125AN86P
, 2H125BA01P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125BA32P
, 2H125BA33P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 2H125FA05
, 2H125FA23
, 4C023JA05
, 4C050AA01
, 4C050BB04
, 4C050BB08
, 4C050CC08
, 4C050CC10
, 4C050EE02
, 4C050FF01
, 4C050GG01
, 4C050HH01
, 4C054AA02
, 4C054CC04
, 4C054DD01
, 4C054EE01
, 4C054FF01
, 5F046LA12
引用特許: