特許
J-GLOBAL ID：201103006947222254

パターン形成方法

発明者：
渡辺 杏平

渡辺 杏平 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-127074
公開番号（公開出願番号）：特開2011-253061
出願日： 2010年06月02日
公開日（公表日）： 2011年12月15日
要約：
【課題】 高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第1のパターンを形成する工程と、第1のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、アライメントマークの上部に形成された平坦化層を除去する工程と、アライメントマークの上部が除去された平坦化層の上に、被加工層を形成する工程と、アライメントマークの位置を被加工層の上部から光を用いて光学的に検出し、位置あわせを行う工程と、位置合わせに基づき被加工層をパターニングしてパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第1のパターンを形成する工程と、 前記第1のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、 前記アライメントマークの上部に形成された前記平坦化層を除去する工程と、 前記アライメントマークの上部が除去された平坦化層の上に、被加工層を形成する工程と、 前記アライメントマークの位置を前記被加工層の上部から光を用いて光学的に検出し、位置合わせを行う工程と、 前記位置合わせに基づき前記被加工層をパターニングして第2のパターンを形成する工程と、 を含むことを特徴としたパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 9/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/68
FI (3件)：
G03F9/00 Z ,  H01L21/30 525F ,  H01L21/68 F
Fターム (15件)：
2H097KA20 ,  2H097KA22 ,  2H097KA28 ,  2H097LA11 ,  2H097LA12 ,  5F031CA01 ,  5F031JA04 ,  5F031JA22 ,  5F031JA38 ,  5F031MA24 ,  5F031MA27 ,  5F046FA04 ,  5F046FC02 ,  5F146FA04 ,  5F146FC02
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM