特許
J-GLOBAL ID：201103007590058490

低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板の製造方法及び低誘電率樹脂絶縁層を用いた薄膜多層回路フィルムの製造方法

発明者：
石月 義克

石月 義克 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185606
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009202
特許番号：特許第4640878号
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に導体を形成してから該導体を覆うバリヤ層を形成する工程と、 全面を覆う樹脂絶縁層及び拡散用金属層を積層形成する工程と、 該拡散用金属層から該樹脂絶縁層に金属微粒子を拡散させてから該拡散用金属層を除去する工程と、 該樹脂絶縁層に拡散された金属微粒子のみを化学エッチングして孔を生成させて該樹脂絶縁層を多孔質化する工程と が含まれてなることを特徴とする低誘電率樹脂絶縁層を用いた回路基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 23/14 ( 200 6.01) ,  H05K 3/00 ( 200 6.01) ,  H05K 3/46 ( 200 6.01) ,  C08J 9/26 ( 200 6.01) ,  C08L 101/00 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 23/14 R ,  H05K 3/00 Z ,  H05K 3/46 T ,  C08J 9/26 101 ,  C08L 101/00
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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