特許

J-GLOBAL ID：201103007661674774

水素含有率取得装置および水素含有率取得方法

発明者： 藤原 裕之 ,  山口 真二 ,  杉本 克雄
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社 ,  国立大学法人岐阜大学
代理人 (1件)： 松阪 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-040035
公開番号（公開出願番号）：特開2011-174853
出願日： 2010年02月25日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：

【課題】シリコン膜中に含まれるSiHの含有率およびSiH2の含有率を精度よく求める。【解決手段】水素含有率取得装置1では、所定のパラメータ群の値と、SiHの含有率およびSiH2の含有率とを関連付ける参照情報が予め生成されて記憶される。ガラス基板9上のシリコン膜に対して、分光エリプソメータ3にて測定を行うことにより測定スペクトルが取得され、コンピュータ6において当該測定スペクトルから当該パラメータ群の値が求められる。そして、パラメータ群の値および参照情報に基づいて、SiHの含有率およびSiH2の含有率の値が精度よく求められる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

対象物上に形成されたシリコン膜中に含まれるSiHの含有率およびSiH2の含有率を取得する水素含有率取得装置であって、 分光エリプソメータと、 所定のパラメータ群の値と、SiHの含有率およびSiH2の含有率とを関連付ける参照情報を記憶する記憶部と、 前記分光エリプソメータにて対象物上のシリコン膜に対して測定を行うことにより取得された測定スペクトルから前記パラメータ群の値を求め、前記パラメータ群の値および前記参照情報に基づいて、SiHの含有率およびSiH2の含有率を求める含有率演算部と、 を備えることを特徴とする水素含有率取得装置。

IPC (1件)：

G01N 21/21

FI (1件)：

G01N21/21 Z

Fターム (8件)：

2G059AA01 ,  2G059BB16 ,  2G059CC01 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059EE12 ,  2G059JJ19 ,  2G059KK01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気記録媒体のカーボン保護膜の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-157775   出願人：富士電機株式会社
• 太陽電池用シリコン系薄膜評価方法および太陽電池製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-037408   出願人：三菱重工業株式会社
• シリコン酸化膜の評価方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-380456   出願人：富士通株式会社
• 半導体シリコン結晶中の酸素濃度評価方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-184560   出願人：信越半導体株式会社