特許
J-GLOBAL ID：201103007725134639

半導体装置の作製方法

発明者：
小山 潤

小山 潤 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371933
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252474
特許番号：特許第4531177号
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に下地膜を形成し、 前記下地膜上に半導体膜を形成し、 前記半導体膜に結晶化を促進する元素を導入した後、第1の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、 前記結晶質半導体膜をパターニングして島状半導体層を形成し、 前記島状半導体層上にマスク絶縁膜を形成し、 前記マスク絶縁膜を用いて前記島状半導体層に選択的に15族元素を添加した後、前記島状半導体層に第2の加熱処理を行い、前記島状半導体層において前記15族元素が添加されていない領域から前記15族元素が添加された領域に前記結晶化を促進する元素を移動させ、 前記マスク絶縁膜を除去し、 前記島状半導体層を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、 前記島状半導体層において前記15族元素が添加されていない領域上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 21/20
引用特許：
審査官引用 (5件)
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