特許
J-GLOBAL ID:201103007801630446
単結晶引き上げ装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井内 龍二
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-528737
特許番号:特許第3482956号
出願日: 1999年01月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】 溶融液が充填される坩堝、該坩堝の周囲に位置するヒータ、及び引き上げられた単結晶を取り囲む逆円錐台側面形状あるいは円筒形状の整流治具等を備え、該整流治具の下端部が前記坩堝に充填される溶融液面の直上近傍に位置する単結晶引き上げ装置において、前記整流治具の下端部よりも上方に位置し、前記整流治具の内周壁面もしくは外周壁面に当接して、あるいは離隔してリング状の熱遮蔽板が配置され、該熱遮蔽板が配置された位置よりも上側部分の前記整流治具に、断熱材が内装されていることを特徴とする単結晶引き上げ装置。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
審査官引用 (7件)
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単結晶体の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-067029
出願人:新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
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半導体単結晶製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-150289
出願人:コマツ電子金属株式会社
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特開昭64-065086
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単結晶成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-235619
出願人:株式会社ジャパンエナジー
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単結晶引上装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-217108
出願人:信越半導体株式会社
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単結晶引上装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-298028
出願人:信越半導体株式会社
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特開昭63-170300
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