特許
J-GLOBAL ID：200903014590693770

半導体単結晶製造装置

発明者：
久保田 利通

久保田 利通 について

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琴岡 敏朗

琴岡 敏朗 について

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鴨川 誠

鴨川 誠 について

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島貫 芳行

島貫 芳行 について


出願人/特許権者：
コマツ電子金属株式会社

コマツ電子金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150289
公開番号（公開出願番号）：特開平9-309789
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 CZ法による引き上げ単結晶の温度勾配の制御を簡易に行い、特に、as-grown欠陥発生を抑制して高品質のシリコン単結晶が得られる半導体単結晶製造装置を提供する。【解決手段】 引き上げ中の単結晶12を取り囲む第1の熱遮蔽筒8と、その内側にあって前記単結晶12を取り囲む第2の熱遮蔽筒10とを設ける。第2の熱遮蔽筒10は、外周面に装着した支持部材11を第1の熱遮蔽筒8に当接させて固定する。単結晶12は、第1の熱遮蔽筒8により固液界面近傍が急冷されて形状の安定化が促進される。また、第2の熱遮蔽筒10により、単結晶12が1200°C〜1000°Cの領域を通過する際の温度勾配が小さくなり、結晶欠陥密度が低減して酸化膜耐圧特性の優れた単結晶が得られる。支持部材11を交換すれば、第2の熱遮蔽筒10の固定位置を上下方向に調節することができ、単結晶の所望の部位が徐冷される。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法による半導体単結晶製造装置において、引き上げ中の単結晶を取り囲む第1の熱遮蔽筒と、第1の熱遮蔽筒の内側に位置して引き上げ中の単結晶を取り囲む第2の熱遮蔽筒とを設けたことを特徴とする半導体単結晶製造装置。
IPC (4件)：
C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (4件)：
C30B 15/00 Z ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 C ,  H01L 21/208 P
引用特許：
審査官引用 (7件)
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