特許
J-GLOBAL ID：201103009654271047
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342358
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160595
特許番号：特許第3878374号
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板内に形成されたトレンチ溝に絶縁材が埋め込まれて形成された複数の素子分離領域と、該複数の素子分離領域によって各々が分離された複数の素子領域と、該素子領域上に第1のゲート絶縁膜を介して形成された導電層からなる電荷蓄積層と、該電荷蓄積層上に第2のゲート絶縁膜を介して形成された制御ゲートを有するメモリセルが複数個アレイ状に配置されてセルアレイを構成している不揮発性半導体記憶装置において、
前記素子分離領域の幅が0.25μm以下で、前記メモリセルのチャネル幅が0.2μm以下であり、
前記電荷蓄積層は、前記第1のゲート絶縁膜を介して半導体基板の表面に接する下端の幅がその上方の幅よりも広くなるように、前記電荷蓄積層の前記素子分離領域に面する側面と前記第1のゲート絶縁膜に接する前記電荷蓄積層の底面とが成すテーパー角が80度以上90度未満の傾斜面を有し、
前記電荷蓄積層の傾斜面の上端と下端との間の膜厚は0.1μm以下であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
