特許
J-GLOBAL ID：201103009864144447
走査型イオンコンダクタンス顕微鏡法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
川口 嘉之
, 松倉 秀実
, 佐貫 伸一
, 丹羽 武司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-544789
公開番号（公開出願番号）：特表2011-511286
出願日： 2009年02月02日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
走査型イオンコンダクタンス顕微鏡法(SICM)を用いて表面を調べるための方法であって、a)表面領域内のそれぞれ離れた位置において、SICMプローブを各表面の近くに繰り返し動かし、各位置における表面高さを測定する工程、b)その表面高さ測定に基づいてその領域の表面粗さまたはその他の表面特性を試算する工程、および、c)その領域内のそれぞれ離れた位置において、プローブを各表面の近くに繰り返し動かし、その点数および位置は領域における試算された表面粗さまたはその他の表面特性に基づいたものであり、表面粗さまたはその他の表面特性に適合した分解能で前記領域の画像を取得する工程、表面を調べるための方法。
請求項（抜粋）：
走査型イオンコンダクタンス顕微鏡法(SICM)を用いた表面を調べるための方法であって、
a)表面領域内のそれぞれ離れた位置において、SICMプローブを表面近くに繰り返し動かし、各位置における表面高さを測定する工程、
b)前記表面高さ測定に基づいて前記領域の表面粗さまたはその他の表面特性を試算する工程、および、
c)前記領域内のそれぞれ離れた位置において、前記プローブを表面の近くに繰り返し動かし、その点数および前記位置は領域における前記試算された表面粗さまたはその他の表面特性にもとづいたものであり、前記表面粗さまたはその他の表面特性に適合した分解能で前記領域の画像を取得する工程、
を含むことを特徴とする、前記表面を調べるための方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
2G043AA03
, 2G043BA16
, 2G043EA01
, 2G043FA02
, 2G043GA04
, 2G043KA09
, 2G043LA02
