特許
J-GLOBAL ID：200903091600970411

III族窒化物半導体素子、およびその製造方法

発明者：
上村 俊也

上村 俊也 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-014244
公開番号（公開出願番号）：特開2009-176966
出願日： 2008年01月24日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】レーザーリフトオフ法により成長基板が除去されたIII 族窒化物半導体からなる半導体素子において、支持基板として適切なものを用いることで素子性能の低下を防止すること。【解決手段】発光素子100は、n層、MQW層、p層からなる半導体層11に、支持基板16が接合された構成である。支持基板16は、AlNからなるセラミック基板161の半導体層11側の面に基板電極層20、その反対側の面に裏面電極層21が形成され、ビア164に充填された導電性ペースト165によって基板電極層20と裏面電極層21が接続された構造である。AlNは線膨張係数がGaNの線膨張係数に近く、熱伝導率も高い。そのため、支持基板16との接合により生じる反りは小さく、発光素子100に発生した熱を効率よく外部へ逃がすことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
成長基板が除去され、支持基板に接合された、III 族窒化物半導体からなる半導体素子において、 前記支持基板は、 線膨張係数が前記III 族窒化物半導体の線膨張係数と近く、熱伝導率が高いセラミックからなり、ビアが設けられたセラミック基板と、 前記セラミック基板の両面に設けられた電極層と、 で構成され、 両面の前記電極層は、前記ビアを介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041AA33 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041DA01 ,  5F041DA19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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