特許
J-GLOBAL ID：201103011406770627

SOI基板の作製方法及び半導体装置の作製方法

発明者：
福永 健司

福永 健司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


代理人 (1件)： 加茂 裕邦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106424
特許番号：特許第4609867号
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶半導体基板の表面に絶縁層でなるマスクを形成し、 陽極化成処理により前記単結晶半導体基板の一部を多孔質層に変化させ、 前記マスクを除去し、 前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層の表面に第1酸化物層を形成し、 前記第1酸化物層の上から水素を添加し、前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層中に水素添加層を形成し、 前記単結晶半導体基板上の前記第1酸化物層と、支持基板上に設けられた第2酸化物層とを貼り合わせ、 第1熱処理により前記単結晶半導体基板及び前記多孔質層を前記水素添加層に沿って分断し、 前記水素添加層に沿って分断する工程の後、支持基板に対して900〜1200°Cの温度範囲で第2熱処理を行い、 前記第2熱処理の後、支持基板の上に存在する前記多孔質層を除去する ことを特徴とするSOI基板の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 27/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 627 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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