特許
J-GLOBAL ID:201103012656034159

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-005403
公開番号(公開出願番号):特開2011-146489
出願日: 2010年01月14日
公開日(公表日): 2011年07月28日
要約:
【課題】多ピンの半導体装置においてコストの低減化を図る。【解決手段】フリップチップ接続タイプのBGAにおいて、多層配線基板の上面の外周部に配置された複数の信号用ボンディング電極2kが内側と外側に振り分けて引き出されており、内側に引き出された複数の信号用配線2uと接続する複数の信号用スルーホール2qが、複数の信号用ボンディング電極2kの電極列と複数のコア電源用ボンディング電極が配置された中央部との間の領域に配置されていることで、チップのパッドピッチを詰めることができ、前記多層配線基板の層数を増やすことなく、前記BGAのコストの低減化を図る。【選択図】図13
請求項(抜粋):
上面と前記上面の反対側の下面とを備えた多層配線基板の前記上面に半導体チップがフリップチップ実装された半導体装置であって、 主面と前記主面の反対側の裏面とを備え、前記主面に複数の電極パッドが形成された前記半導体チップと、 前記上面において前記半導体チップの前記主面の周縁部に対応した第1領域に複数のボンディング電極が複数列で形成され、前記第1領域より内側の第2領域に複数の電源/GND用ボンディング電極がアレイ状に形成された前記多層配線基板と、 前記多層配線基板の前記下面に設けられた複数の外部端子と、 を有し、 前記多層配線基板の前記上面において前記第1領域に配置された前記複数のボンディング電極のうち複数の信号用ボンディング電極は、内側と外側に振り分けて引き出され、 前記信号用ボンディング電極から内側に引き出された複数の信号用配線は、それぞれスルーホールを介して他の層の配線部と電気的に接続され、 複数の前記スルーホールは、前記第1領域と前記第2領域の間の領域に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60
FI (5件):
H01L23/12 501B ,  H01L23/12 E ,  H01L21/60 311Q ,  H01L23/12 Q ,  H01L23/12 N
Fターム (4件):
5F044KK17 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ02 ,  5F044RR16
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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