半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-545151
特許番号：特許第3719934号
出願日： 1999年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】階層型ワード線構成を有する半導体記憶装置であって、複数個のバンクを備え、前記複数個のバンクの各々は、複数個のメモリセルと、各々前記複数個のメモリセルのうちの対応するメモリセルに接続された複数本の副ワード線と、前記複数本の副ワード線が共通に関連付けられた主ワード線と、前記主ワード線を活性化するための第1の手段と、前記主ワード線が活性化され続けている間に、前記複数本の副ワード線のうちの活性化される副ワード線を変更するための第2の手段とを有し、前記半導体記憶装置は、コントロールパケットを入力するための手段と、前記コントロールパケットにより各バンク毎に特定のモードを指定するための手段と、前記特定のモードが指定されているときに該当バンクの前記第2の手段を動作させるための手段とを更に備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：