特許
J-GLOBAL ID:201103013445776090

多重ドメインを持つ高開口率及び高透過率液晶表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 永田 良昭
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-147636
公開番号(公開出願番号):特開2000-131717
特許番号:特許第4009389号
出願日: 1999年05月27日
公開日(公表日): 2000年05月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】 所定距離をおいて対向する上部及び下部基板と、 上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を含む液晶層と、 前記下部基板の内側面にマトリクス状に配列され、単位画素を限定するゲートバスラインとデータバスラインと、 前記単位画素内に配置され、長方形枠状を持つ本体と、前記本体の中央を横切って第1空間と第2空間に限定するセンターバーと、前記第1空間を区画し前記ゲートバスラインと平行な少なくとも一つ以上の第1ブランチと、前記第2空間を区画し前記データバスラインと平行な少なくとも一つ以上の第2ブランチとを含むカウンタ電極と、 前記単位画素内のカウンタ電極上にオーバーラップし、前記本体と第1ブランチの間の空間、前記第1ブランチ間の空間、及び前記第1ブランチとセンターバーの間にそれぞれ配置され、前記第1ブランチと平行な第1分割電極と、前記第1分割電極の一側端を連結しながら、前記本体とオーバーラップする第2分割電極と、前記本体と第2ブランチの間の空間、及び前記第2ブランチ間の空間にそれぞれ配置され、第2ブランチと平行な第3分割電極と、前記第3分割電極の一側端を連結しながら前記第2分割電極と連結し、前記センターバーとオーバーラップする第4分割電極とを含む画素電極と、 前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近傍に配置される薄膜トランジスタと、及び 前記上部及び下部基板の内側表面にそれぞれ配置され、ラビング軸をそれぞれ持つ水平配向膜とを備え、 前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電物質で形成され、 前記カウンタ電極及び画素電極間の間隔は、前記上部及び下部基板間の距離よりも狭く、 前記カウンタ電極の本体、センターバー、第1ブランチ及び第2ブランチと、前記画素電極の第1分割電極及び第3分割電極の幅は2.5乃至5μmに設定すると共に、 前記本体と第1ブランチ間の距離、第1ブランチ間の距離、第1ブランチとセンターバー間の距離、本体と第2ブランチ間の距離、及び第2ブランチ間の距離として設定した0.1乃至3μmよりも大に設定し、 前記液晶の屈折率異方性と前記上部及び下部基板のセルギャップの積は、0.2乃至0.6μmに設定し、 前記画素電極に電圧の印加時、前記単位画素空間には、前記ゲートバスラインと平行な電界と前記データバスラインと平行な電界が同時に形成され、 前記カウンタ電極及び画素電極の幅は、両電極間に発生される電界によって、前記両電極のそれぞれの上部に存在する液晶分子がともに実質的に動作可能に構成した 液晶表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1337 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1343 ( 200 6.01)
FI (3件):
G02F 1/136 ,  G02F 1/133 505 ,  G02F 1/134
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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