特許
J-GLOBAL ID：201103013819471701
プラズマを用いた試料の表面処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306848
特許番号：特許第3543672号
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】所定の気体雰囲気内に配置されており、表面処理される試料が載置される試料台と、該試料の被処理面の形状の相似形状を少なくとも一部に有する壁面が該試料の被処理面に対向して設けられた電極と、該試料の被処理面に局所的に反応ガスを供給するように該電極の壁面に設けられた反応ガス供給口と、該電極に電力を印加する電源と、前記壁面における前記反応ガス供給口から離れた位置に開放端を有し、該電極に印加される電力を該開放端まで伝送するように該電極内に設けられた電力伝送線路とを備え、該電極の壁面は、該試料の被処理面に近接して設けられており、該試料の被処理面との間に、該反応ガス供給口から該気体雰囲気に向けて低コンダクタンスの気体流路を形成するとともに、該気体雰囲気の圧力と該反応ガス供給口から供給される反応ガスの圧力との差圧によって該気体雰囲気よりも高い圧力を有する高圧反応ガス領域を該低コンダクタンスの気体流路における該開放端の近傍に局所的に形成し、該開放端に伝送される電力によって高電界を発生させて、該反応ガスに基づく局所的な高圧プラズマを該高圧反応ガス領域に発生させることにより、該高圧プラズマ中の反応ガスの反応種によって該試料に対する表面処理が行われる、プラズマを用いた試料の表面処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/505
, H01L 21/31
H01L 21/205
, C23C 16/505
, H01L 21/31 C
