特許
J-GLOBAL ID：201103013990645203
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185118
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015618
特許番号：特許第3833854号
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 素子領域が溝型素子分離で形成され、かつ浮遊ゲートを有するメモリセル部とその周辺回路部を有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
シリコン基板上に絶縁膜を介して多結晶シリコン層を形成する工程と、
素子領域を形成するために、この多結晶シリコン層と絶縁膜、シリコン基板を自己整合的にエッチングし、シリコン基板中に底部を有し素子領域を囲む素子分離用の複数の溝を形成する工程と、
素子領域と多結晶シリコン層が対向する面のそれぞれの端部を酸化により丸める工程と、
メモリセル部のみを耐酸化性を有する膜で被覆する工程と、
前記耐酸化性膜の形成後酸化を追加し、周辺回路部の素子領域において、シリコン基板と多結晶シリコン層が対向する面の端部間に、メモリセル部よりも厚いバーズビーク状酸化膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
H01L 29/78 371
, H01L 21/76 L
, H01L 27/10 434
出願人引用 (6件)
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特開昭62-031177
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シリコン基板に分離領域を形成する方法および分離領域の構造
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-008743
出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト, 株式会社東芝
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特開平4-249324
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審査官引用 (6件)
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