特許
J-GLOBAL ID：201103014970237105
磁気センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
, 田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-168922
公開番号（公開出願番号）：特開2011-047929
出願日： 2010年07月28日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：
【課題】コンパクトな構成でありながら磁場の検出性能に優れた磁気センサを提供する。【解決手段】基板上に中心領域R1を取り囲むように配置された第1〜第8のMR素子1〜8と、差分検出部とを備える。第1および第3のMR素子1,3の各抵抗値は、信号磁場の変化に応じて互いに同じ向きに変化し、第2および第4のMR素子2,4の各抵抗値は、それと反対向きに変化する。第5および第7のMR素子の各抵抗値は信号磁場の変化に応じて互いに同じ向きに変化し、第6および第8のMR素子6,8の各抵抗値は、それとは反対向きに変化する。第1のMR素子1と第2のMR素子2とを繋ぐ第1の接続部L1、および第3のMR素子3と第4のMR素子4とを繋ぐ第2の接続部L2は、第5のMR素子5と第6のMR素子6とを繋ぐ第5の接続部L5、および第7のMR素子7と第8のMR素子8とを繋ぐ第6の接続部L6と、中心領域R1において立体交差している。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上に中心領域を取り囲むように配置された第1から第4の磁気抵抗効果素子を含むブリッジ回路を備え、
前記第1および第2の磁気抵抗効果素子は、それらの間に位置する前記中心領域に延在する第1の接続部によって互いの一端同士が接続され、
前記第3および第4の磁気抵抗効果素子は、それらの間に位置する前記中心領域において前記第1の接続部と厚み方向に離間しつつ交差する第2の接続部により、互いの一端同士が接続され、
前記第1の磁気抵抗効果素子の他端と前記第4の磁気抵抗効果素子の他端とが第3の接続部によって接続され、
前記第2の磁気抵抗効果素子の他端と前記第3の磁気抵抗効果素子の他端とが第4の接続部によって接続され、
前記第1および第3の磁気抵抗効果素子の各抵抗値は、外部からの信号磁場の変化に応じて互いに同じ増減方向に変化し、
前記第2および第4の磁気抵抗効果素子の各抵抗値は、いずれも、前記信号磁場の変化に応じて前記第1および第3の磁気抵抗効果素子とは反対の増減方向に変化する
ことを特徴とする磁気センサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD56
, 2G017AD65
, 2G017BA05
