特許
J-GLOBAL ID：201103015410566142

窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者：
永原 靖治

永原 靖治 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-042245
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181584
出願日： 2010年02月26日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：
【課題】窒化物半導体層の側面に配置される保護膜として最適な材料を確保して、配置することにより、密着性、放熱性、光出射効率及び/又はリップル低減等において良好な特性を与えることができる、より信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板10と、基板10上に積層される窒化物半導体層と、窒化物半導体層の上方に配置されたSiとCとを含む第1保護膜17と、第1保護膜17と接して、窒化物半導体層と電気的に接続する電極19とを有し、第1保護膜17は、電極19との界面に、電極19を構成する少なくとも一部の元素と第1保護膜17を構成する少なくとも一部の元素とが混在した混在層18を有する窒化物半導体素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に積層される窒化物半導体層と、 前記窒化物半導体層の上方に配置されたSiとCとを含む第1保護膜と、 前記第1保護膜と接して、前記窒化物半導体層と電気的に接続する電極とを有し、 前記第1保護膜は、前記電極との界面に、前記電極を構成する少なくとも一部の元素と前記第1保護膜を構成する少なくとも一部の元素とが混在した混在層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (5件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/343 ,  H01L 33/44 ,  H01L 33/32 ,  H01S 5/028
FI (5件)：
H01S5/22 ,  H01S5/343 610 ,  H01L33/00 300 ,  H01L33/00 186 ,  H01S5/028
Fターム (23件)：
5F041AA31 ,  5F041AA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F173AA08 ,  5F173AA16 ,  5F173AH22 ,  5F173AK08 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL16 ,  5F173AL21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP64 ,  5F173AQ11 ,  5F173AR01 ,  5F173AR26 ,  5F173AR72 ,  5F173AR99
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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