配線の形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341076
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160590
特許番号：特許第3634994号
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の上層に形成された第1の絶縁膜に所定の配線溝を形成する工程と、前記配線溝を埋め込むように金属膜をメッキ形成する工程と、前記金属膜を研磨し、前記配線溝内のみを充填するように前記金属膜を残して配線を形成する工程と、少なくとも前記配線上に第2の絶縁膜を形成する工程とを含み、前記金属膜の形成後前記金属膜の研磨前に、当該金属膜に前記配線のストレスマイグレーションを緩和する温度の熱処理を施すとともに、前記第2の絶縁膜の形成温度を含む前記配線形成後の諸工程の処理温度を、前記配線の歩留まりを向上させる低温度以下に制御することを特徴とする配線の形成方法。

IPC (2件)：