化合物半導体結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063143
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335195
特許番号：特許第3596337号
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】目的とするカーボン濃度を含有する化合物半導体結晶を成長するために必要な分圧の酸化炭素ガスと化合物半導体原料とを、ガス不透過性気密容器内に密封するステップと、前記気密容器の温度を上昇させて前記気密容器内に密封された前記化合物半導体原料を融解するステップと、前記気密容器の温度を低下させて前記融解した化合物半導体原料を固化させることにより、目的とするカーボン濃度を有する化合物半導体結晶を育成するステップとを備え、前記化合物半導体結晶中のカーボン濃度をCCARBON(cm-3)、前記酸化炭素ガスの分圧をP(Pa)、aを任意の係数としたとき、以下の関係式(1)に従って前記酸化炭素ガスを前記気密容器内に密封することを特徴とする化合物半導体結晶の製造方法。 CCARBON=a×P0.5...(1)

IPC (2件)：

C30B 11/00 , C30B 29/42

FI (2件)：

C30B 11/00 Z , C30B 29/42

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開昭64-037833
半絶縁性GaAs単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-332356 出願人：株式会社ジャパンエナジー
単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-308748 出願人：日立電線株式会社

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審査官引用 (4件)

特開昭64-037833
半絶縁性GaAs単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-332356 出願人：株式会社ジャパンエナジー
単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-308748 出願人：日立電線株式会社

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