スパッタリング装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-055928
公開番号（公開出願番号）：特開2002-256428
特許番号：特許第4428873号
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空室内において、表面に金属化合物薄膜が成膜される基板群が配置されるターンテーブルと、金属薄膜を成膜する金属薄膜スパッタ成膜部と、金属薄膜の成膜直後に活性ガスのプラズマ照射による反応で金属化合物膜を形成する金属化合物膜生成部とを備えたスパッタリング装置であって、ターンテーブルの上面に対向して金属薄膜スパッタ成膜部および金属化合物膜生成部が回転方向に区分されて交互に配置され、かつ、金属化合物膜生成部には逆スパッタ電極部が備えられており、この逆スパッタ電極部でのスパッタリングで金属化合物膜が生成されることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (2件)：