特許
J-GLOBAL ID:200903075443579341

成膜装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 義雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-295526
公開番号(公開出願番号):特開2001-115256
出願日: 1999年10月18日
公開日(公表日): 2001年04月24日
要約:
【要約】【課題】 高いスループットで成膜が可能であるとともに、均一な成膜を可能にする成膜装置を提供すること。【解決手段】 基板Wを第1〜第4イオンプレーティング装置31〜34の上方位置で巡回させているので、複数の基板Wを並列的に膜形成することになり、処理速度を全体として高めることができ、成膜のスループットを向上させることができる。また、各基板Wは、第1〜第4イオンプレーティング装置31〜34に対向する対向位置間で移動することになるので、成膜の偏よりを互いに相殺して比較的均一な成膜を達成することができる。
請求項(抜粋):
成膜材料源をそれぞれ有する複数の成膜ユニットと、前記複数の成膜ユニットに連通する処理空間において複数の基板を保持するとともに、当該複数の基板を前記複数の成膜ユニットに設けた各成膜材料源に略対向する対向位置を経由して移動させるホルダとを備える成膜装置。
IPC (3件):
C23C 14/32 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/203
FI (3件):
C23C 14/32 D ,  C23C 14/50 G ,  H01L 21/203 Z
Fターム (11件):
4K029CA03 ,  4K029DD00 ,  4K029JA02 ,  4K029KA01 ,  5F103AA02 ,  5F103BB09 ,  5F103BB38 ,  5F103BB44 ,  5F103DD28 ,  5F103RR02 ,  5F103RR06
引用特許:
審査官引用 (18件)
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